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Interfacial reactions at Fe/topological insulator spin contacts

机译:铁/拓扑绝缘子自旋接触的界面反应

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摘要

The authors study the composition and abruptness of the interfacial layers that form during deposition and patterning of a ferromagnet, Fe on a topological insulator (TI), Bi2Se3, Bi2Te3, and SiOx/Bi2Te3. Such structures are potentially useful for spintronics. Cross-sectional transmission electron microscopy, including interfacial elemental mapping, confirms that Fe reacts with Bi2Se3 near room temperature, forming an abrupt 5 nm thick FeSe0.92 single crystalline binary phase, predominantly (001) oriented, with lattice fringe spacing of 0.55 nm. In contrast, Fe/Bi2Te3 forms a polycrystalline Fe/TI interfacial alloy that can be prevented by the addition of an evaporated SiOx separating Fe from the TI.
机译:作者研究了在铁磁体,拓扑绝缘体(TI)上的Fe,Bi2Se3,Bi2Te3和SiOx / Bi2Te3的沉积和图案化过程中形成的界面层的组成和突变。这样的结构对于自旋电子学可能是有用的。包括界面元素图谱在内的横截面透射电子显微镜证实,Fe在室温附近与Bi2Se3反应,形成了陡峭的5 nm FeSe0.92单晶双相,主要为(001)取向,晶格条纹间距为0.55 nm。相反,Fe / Bi2Te3形成多晶Fe / TI界面合金,可以通过添加蒸发的SiOx将Fe与TI分离来防止。

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