3C-SiC chemical vapor deposition (CVD) orientation surficial morphology wettability;
机译:卤化物激光CVD透明高度导向的3C-SiC块
机译:Si CVD模板上高质量3C-SiC上双位无边界准本体3C-SiC的物理气相生长
机译:用卤化物激光化学气相沉积在<110 oriented散装3C-SiC中的氮气原位掺杂
机译:CVD异质外延晶种层上的3C-SiC整体升华生长
机译:通过升华法生长的块状3C-SiC单晶的研究。
机译:卤化物激光化学气相沉积法在110取向块状3C-SiC中原位掺杂氮
机译:卤化物CVD的高度面向多晶3C-SiC块的结构控制