单晶硅非平衡磁控溅射等离子体基离子注入钼的XPS研究

摘要

采用非平衡磁控溅射及射频激励产生金属等离子体 ,在单晶基体Si上等离子体基离子注入钼。选择不同的靶基距 ,即不同的Mo沉积速率 ,研究了沉积速率对Si中Mo注入层的影响 ,用X光电子能谱 (XPS)对注入层中Mo的深度分布和化学态进行了分析。结果表明 :注入过程由两部分组成 ,即反冲注入 (包括级联碰撞引起注入原子的位移 )和金属的纯注入。随靶基距增大 ,沉积速率减小 ,样品表面沉积层厚度减小 ,注入层增厚。靶基距为 30 0mm时 ,纯注入层厚度与理论计算值接近。XPS多道分析判断有MoSi2