一种等离子体增强非平衡磁控溅射方法

摘要

本发明属于材料表面改性技术领域,特别涉及到磁控溅射沉积技术。该技术通过两个相对放置的ECR放电腔磁场线圈产生的磁场和平衡磁控靶磁场在沉积室叠加形成会切场磁场位型,该磁场位型有效地约束ECR放电和平衡磁控靶放电产生的等离子体,在薄膜生长表面形成高密度的离子、激活基团,通过控制基片位置、溅射偏压、沉积偏压等工艺参数,可调节各种反应基团的到达比及能量,从而得到符合化学配比的高纯度化合物薄膜。