誘導結合プラズマ支援型非平衡マグネトロンスパッタ法によりアクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂上に作製したNi薄膜に及ぼすイオン照射の効果

摘要

我々はUM-ICPを用いて，P_TおよびB_Cを変化させてABS上に非加熱でNi薄膜を作製した.I_(ArⅡ)およびI_SはP_TおよびB_Cによって制御可能であり，P_T=500 W以上でB_Cを増加させることで，高いイオン照射効果が得られることが示唆された.作製したNi薄膜の結晶構造に関して，P_T = 500 W以上でB_Cを増加することでイオン照射効果が増加し，作製したNi薄膜のt_(111)が増加して密な膜構造になることが示唆された.作製したNi薄膜のρは結晶構造に依存して変化した.P_T= 500, 600 WにおいてB_Cを増加することでイオン照射効果により膜構造が密になりρが減少することが分かった.作製したNi薄膜の剥離率はすべてのサンプルに対して0%であり，イオン照射効果の程度に関わらず高い密着性となった.%We fabricated Ni films on an Acrylonitrile-Butadiene-Styrene resin (ABS) using unbalanced magnetron sputtering assisted by inductively coupled plasma. The effect of ion irradiation controlled by target DC power P_T and magnetic flux density toward the substrate B_C on the Ni film structures was investigated. Argon ion emission intensity I_(ArⅡ) near the substrate increased with P_T and B_C. In addition, substrate current I_S drastically decreased above P_T = 500 W. We observed that ion irradiation was enhanced by increasing B_C above P_T = 500 W. From x-ray diffraction measurement, the crystallite size t_(111) increased with the effect of ion irradiation. A minimum film resistivity of 1.4 × 10~(-5) Ωcm was measured for P_T = 600 W and B_C = 5 mT. We conclude that controlling the effect of ion irradiation is effective for high quality Ni film formation on ABS.