用ECR-CVD方法制备SiO2薄膜

吴振宇; 杨银堂; 汪家友

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用ECR-CVD方法制备SiO2薄膜

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本文在低温下利用ECR-CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系.直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%.对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050 cm-1处出现Si-O-Si伸缩振动吸收峰;仪器检测精度内,并未出现明显的Si-H和N-H吸收峰,表明薄膜具有很低的H含量.

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来源
《真空电子技术》 |2004年第6期|48-5058|共4页
作者
吴振宇; 杨银堂; 汪家友;
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作者单位

西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延 ;
关键词
电子回旋共振 ; 化学汽相沉积 ; 氧化硅 ; 薄膜 ;

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