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吴振宇; 杨银堂; 汪家友;
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
氟化非晶碳; ECR-CVD; 光电子能谱; 椭圆光谱;
机译:C_4F_8和Si_2H_6 / He用于低介电常数金属间层电介质的氟化非晶碳薄膜的等离子体化学气相沉积生长
机译:双键配置对氢稀释溅射低氢浓度低介电常数的氟化非晶碳薄膜热稳定性的影响
机译:沉积温度对用作低K电介质的氟化非晶碳膜的热稳定性的影响
机译:ECR-CVD法制备氟化非晶碳薄膜及其性能
机译:溶胶-凝胶法制备氧化镁,纳米晶镁和氟化钡陶瓷薄膜,以及溶胶-凝胶法制备的氟化物取代的滑石的晶体化学性质和热稳定性。
机译:掺b非晶碳基薄膜:通过低温RF-PEMOCVD制备的光子材料
机译:氮的添加对氟化非晶碳薄膜性能和热稳定性的影响
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日
机译:制备低k氟化非晶碳电介质的方法
机译:低介电常数非晶碳氟化合物膜及其制备方法
机译:利用碳化硅粘附促进剂层增强氮化硅对低k氟化氟化非晶碳粘附的方法
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