机译:基于基板清洁方法和快速热退火条件对ECR-CVD制造的Al / SiNX / SiO2 / Si电气特性的影响
机译:基板清洗方法和快速热退火条件对ECR-CVD制备的Al / SiN_x / SiO_2 / Si电学特性的影响
机译:快速热退火工艺对电子回旋共振法沉积SiNx:H薄膜性能的影响
机译:快速热退火对4H-SiC衬底上原子层沉积镧掺杂的二氧化锆薄膜的结构,化学和电学特性的影响
机译:热退火对双抗反射涂层SiNx / SiO2的影响
机译:快速热退火欧姆触点与砷化镓的比较电特性。
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:快速热退火对电子回旋共振沉积的SiO2和SiNx:H薄膜的结构性质和缺陷密度的影响