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用激光束成像法测量双E型硅弹性膜应变

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摘要

报道了用激光束成像法对双E型传感器的硅弹性膜在不同压力情况下的应变进行的研究,并测出该弹性膜的应变情况.此方法对其他形式的敏感芯片应变的研究具有一定的参考价值.

著录项

来源
《微纳电子技术》 |2003年第6期|43-45|共3页
作者
邓永和;
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作者单位

湖南工程学院数理系;

湖南湘潭411100;

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正文语种 chi
中图分类 TP212.1 TN304.12;
关键词
激光束成像法; 硅弹性膜; 应变; 双E型传感器; 敏感芯片; 力学结构;

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