氩氧比对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制

摘要

利用射频磁控溅射技术在SiO_2-si和玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了溅射气体氩氧比对薄膜特性的影响,在氩氧比为2:3下所制备的ZnO薄膜c轴择优取向相对较好,薄膜的颗粒随氩氧比的增加而增大,所制备的薄膜在可见光均具有较高的透射率,吸收边在360～380nm附近;并在以SiO_2-Si为衬底,氩氧比为2:3,经过退火处理的ZnO薄膜上制作Ag-ZnO-Ag肖特基MSM叉指结构的紫外探测器,所制作的探测器在5V偏压下漏电流为3.3×10~(-8)A,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在365nm附近.