氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响

摘要

采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响.结果表明:随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(222)面峰强由弱到强变化,当氧氩体积百分比达到3％,4％时,ITO薄膜的(400)面峰强超越了(222)面;随着氧氩体积百分比的增大,薄膜的电阻率显著增大,而沉积速率、栽流子浓度和迁移率都降低.