氧氩比对MoZnO薄膜晶体管性能的影响

摘要

在室温下使用射频磁控溅射技术,在表面长有100 nm厚的氧化硅绝缘层的硅衬底上制备了MoZnO薄膜及其薄膜晶体管(TFTs).研究了溅射过程中氧氩比对MoZnO薄膜及其TFT性能的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)表征MoZnO薄膜的结晶特性,用紫外可见分光光度计来表征MoZnO薄膜的光学特性.结果显示,不同氧氩比下制备的MoZnO薄膜均呈现(002)晶面择优生长,平均透过率均在90%以上.氧氩比为25∶75时器件性能最佳,电流开关比为3.42×10^7,阈值电压为17.8 V,亚阈值摆幅为4.2 V^-1·decade^-1,载流子迁移率为0.72 cm^2·V^-1,界面缺陷态密度Nit为3.04×10^18 cm^-2·eV^-1.