杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响

摘要

研究了杂质不完全离化对金属-绝缘体-碳化硅(MISiC)传感器性能的影响.考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程.运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的,I-V与C-V特性.实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大.在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动.