法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-02-06
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-02-22
授权
授权
2005-01-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-11-17
公开
公开
技术领域
本发明属电子器件领域,涉及一种高温气体传感器。
背景技术
金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器是气体传感器的一种,能直接探测氢(H2)、碳氢(CxHy)等含氢化合物以及间接探测氮氧(NOx)等多种化合物气体;响应速度快,高温下(>300℃)的响应时间为毫秒级;工作温度从室温到800℃高温,高温下无需冷却系统。在航空航天、核能仪器、人造卫星、太空探测和地热勘探,以及汽车电子学、自动化、雷达与通讯等领域有着广泛的应用前景。然而,目前已有的MISiC高温气体传感器的绝缘层采用臭氧工艺制备,结构见图1:碳化硅(SiC)基片上生长一层SiO2绝缘层,其上制备缓冲层氧化硅钽,缓冲层上制备铂电极(栅电极),SiC基片下方制备硅钽缓冲层,缓冲层外制备背电极;其界面质量不是十分理想,导致器件高温可靠性较差,即传感器在高温下工作一段时间后,响应特性退化,甚至完全失效。
发明内容
本发明旨在解决绝缘层及其界面质量问题,从而提高MISiC气体传感器的高温可靠性,使其符合高温下长期稳定工作之要求。
本发明金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器,在碳化硅(SiC)基片上一面生长一层绝缘层,其上制备缓冲层,缓冲层上制备栅电极,SiC基片另一面制备硅钽缓冲层,硅钽缓冲层外制备背电极,其特征在于所述绝缘层为SiOxNy,所述缓冲层为TakSilOmNn;其中X=0.6~0.8、Y=0.2~0.4、K=0.65~0.85、L=0.1~0.15、M=0.02~0.15、N=0.02~0.15。
所述的金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器,所述SiOxNy绝缘层厚度可以为1~4nm;所述TakSilOmNn缓冲层厚度可以为2~10nm。
本发明MISiC高温气体传感器的工作原理是:含氢的分子在催化金属Pt(或Pd)表面分解产生氢原子,一部分氢原子扩散通过金属膜,到达金属与绝缘层界面处。由于界面电荷的吸引,氢原子在金属-绝缘层(~1nm)界面处形成一偶极层。这个偶极层将改变催化金属的功函数,从而使肖特基二极管SBD的势垒高度降低,I-V特性沿电压轴负向漂移。在恒定电流下,通过检测电压的漂移(ΔV),进行相应换算即可得到气体中的氢浓度,如图2所示。图3所示为典型的MISiC肖特基气体传感器在空气和800ppm浓度氢气中的电流电压(I-V)特性。
本发明采用一氧化氮(NO)低温快速热氧化技术制备MISiC高温气体传感器的SiOxNy超薄绝缘层,同时采用新型TakSilOmNn缓冲层结构,由于绝缘层-SiC界面处以及缓冲层中氮的结合,增加了界面扩散势垒高度,可有效阻止层间互扩散效应,从而减小失效几率,提高器件的高温可靠性。此外,缓冲层的使用可大大增强金属与绝缘层的粘附性。
本发明高温可靠性好,灵敏度高,响应快,制备工艺简单,一致性好,易于批量生产。
附图说明
图1现有MISiC高温气体传感器剖面图
图2本发明MISiC高温气体传感器剖面图
图3典型的MISiC肖特基气体传感器I-V特性
温度为500℃,氢气用N2稀释携带,浓度为800ppm。
图4响应灵敏度随氢气浓度变化曲线
图5高温可靠性实验曲线——ΔI随时间的变化
具体实施方式
本发明采用美国Cree公司生产的n型6H-SiC外延片,其衬底掺杂浓度为1~9×1018cm-3,外延层厚度为5μm,掺杂浓度为4×1015cm-3。具体工艺步骤如下:
(1)SiC基片采用标准的RCA工艺清洗,接着基片放入5%的HF溶液中浸蚀以去除自然氧化层。SiC基片于800-900℃氮气氛中推入氧化炉恒温区,并立即通入高纯NO气体(流量0.25-0.5 l/min)氧化5-10分钟;接着在氩气氛中原位退火10分钟,消除应力和缺陷,并使薄膜致密。最后在氮保护气氛中分3步拉出基片(每步间隔2-3分钟),由此形成厚为1~4nm的SiO0.6N0.4或SiO0.8N0.2。
(2)采用直流磁控溅射法,利用不锈钢掩膜板于绝缘层上制备TakSilOmNn缓冲层和Pt栅电极(直径0.3-0.5mm)。TakSilOmNn层可以是Ta0.8Si0.1O0.05N0.05、Ta0.85Si0.1O0.03N0.02、Ta0.7Si0.15O0.1N0.05、Ta0.7Si0.1O0.1N0.1、Ta0.65Si0.15O0.1N0.1中之一,厚为10nm,Pt层厚为150nm。溅射过程中,靶电极通过水冷,基片温度为350℃。
(3)用与(2)相同的方法和条件,在SiC衬底面制备TaoSip缓冲层和Pt背接触电极(无需掩膜板),TaoSip:O=0.8~0.9,P=0.1~0.2厚度100-200nm,Pt:200-400nm。
(4)激活处理,在550~650℃,氮稀释H2/氧交替脉冲环境里退火上述晶片30-60分钟,以活化电极,提高探测灵敏度,同时稳定界面,增强高温可靠性。
(5)极焊接和引线:将SiC晶片切割成单个管芯,芯片背电极用耐高温的陶瓷导电胶粘于铜基座上,由相应管腿引出;栅电极采用超声热压焊或高温键合方法用Pt丝焊接引出。
附图4所示为本发明MISiC高温气体传感器在300℃和2V恒压下响应灵敏度随氢气浓度变化曲线;附图5所示为本发明传感器在600℃高温和2V恒压下连续工作60小时记录的电流漂移ΔI随时间的变化。传感器特性曲线显示,引入超薄氮化氧化绝缘层后,MISiC高温气体传感器的响应灵敏度和高温可靠性得到了明显改善。同时本发明为肖特基二极管结构,其正向压降低,功耗小,开关速度快。
机译: 用于化学气体传感器的FET,具有保护层部分,该保护层部分包括基础层,覆盖层以及基础层和覆盖层之间的中间层,其覆盖场绝缘层,栅极绝缘层和金属层
机译: 气体传感器氧气传感器,用于确定例如内燃机排气管路中的气体混合物,具有绝缘层,该绝缘层的波动幅度大于或等于层总厚度的四分之一
机译: 输送高温气体的管道的绝缘,例如船用发动机中的排气管,由弹性金属板构成,板之间具有绝缘层,并围绕管安装,以便其端部配合在一起以形成封闭管