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金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器

摘要

金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器,属电子器件领域,涉及一种高温气体传感器,旨在解决绝缘层及其界面质量问题,从而提高MISiC气体传感器的高温可靠性,使其符合高温下长期稳定工作之要求。本发明在碳化硅(SiC)基片上一面生长一层SiO

著录项

  • 公开/公告号CN1243238C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN200310111574.8

  • 发明设计人 徐静平;钟德刚;韩弼;

    申请日2003-12-12

  • 分类号

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人方放

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-02-06

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2006-02-22

    授权

    授权

  • 2005-01-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-17

    公开

    公开

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