杨教授视点 智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响（中）

摘要

15-kV SiC IGBT的设计与优化图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n＋衬底上生长有外延层。厚3μm、1×1019cm-3掺杂的P＋发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层（场塞）,厚5μm,掺杂浓度1×1017cm-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。