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曹欢欢; 高长征; 崔玉发;
中国电子科技集团公司第十三研究所 河北石家庄050051;
GaN; C波段; 高集成度; 高增益; 小型化;
机译:基于AlGaN / GaN HEMT的C波段55%PAE高增益两级功率放大器
机译:高增益,定向和小型化的超材料C波段天线
机译:用于未来5G通信的倍频带宽S和C波段GaN-HEMT功率放大器
机译:适用于5G应用的高增益,高增益,全集成式C波段GaN MMIC Doherty功率放大器
机译:基于粒子的功率放大器应用毫米波GaN器件可靠性建模
机译:使用Anging Multimode干扰GaN-SIO的三个多路分解器C波段
机译:八度带宽S-和C波段GAN-HEMT功率放大器,用于将来5G通信
机译:共址干扰对Uas控制和非有载通信的L / C波段频谱的影响。
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译:表观生长的基质,制造基于GaN的半导体膜的过程,基于GaN的半导体膜,制造基于GaN的半导体发光元件和基于GaN的半导体发光元件的过程
机译:gan单晶的生长方法,gan基体的制备方法,基于gan的元素的生产方法以及基于gan的元素
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