宽输入范围低线性调整率带隙基准的设计

摘要

文中提出了一款基于0.35 μm BCD工艺的宽输入范围带隙基准.与传统带隙基准不同,所提出的带隙基准使用基准输出为运算放大器提供偏置,采用耐高压的LDMOS器件,设计实现了一款宽输入范围低线性调整率的带隙基准.利用Spectre对该电路进行了仿真验证.仿真结果表明:在4～35 V输入范围内,该基准的线性调整率仅为0.74μV/V,电源电压抑制比为-110 dB,温度系数为22.3 μV/℃,静态电流为10.15 μA.