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公开/公告号CN106959723B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所;
申请/专利号CN201710351210.9
发明设计人 祝靖;冷静;禹括;孙伟锋;陆生礼;时龙兴;
申请日2017-05-18
分类号G05F1/567(20060101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人柏尚春
地址 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
入库时间 2022-08-23 10:10:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-13
授权
2017-08-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/567 申请日:20170518
实质审查的生效
2017-07-18
公开
机译: 适用于生产测试的低输出噪声,高电源抑制和高精度可调节带隙基准电压源的方法和装置
机译: 具有高电源抑制比的带隙基准电压源
机译:4H–SiC中的宽温度范围集成带隙基准电压源
机译:具有3.2 ppm /℃曲率补偿的带隙基准,具有宽电源电压范围
机译:使用单节点方法设计高电源抑制比互补金属氧化物半导体带隙电压参考
机译:高电源抑制CMOS带隙基准电压源的设计与分析
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:在1至2微米波长范围内测定宽能带隙HgCdTe的一般特性和特性