PSR; PTAT; bandgap voltage reference;
机译:具有低温系数和高电源抑制性能的CMOS带隙基准的设计
机译:使用单节点方法设计高电源抑制比互补金属氧化物半导体带隙电压参考
机译:具有高电源纹波抑制比的电流模式带隙基准的分析和设计
机译:高电源抑制CMOS带隙电压参考的设计与分析
机译:基于阈值电压差架构的CMOS技术的低于1V的电源参考电压。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现