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王永顺; 崔玉旺; 赵永瑞; 汪再兴; 刘倩;
兰州交通大学电子与信息工程学院;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
河北新华北集成电路有限公司;
沈阳工业大学信息科学与工程学院;
带隙基准; 指数曲率补偿; 亚阈值指数曲率补偿; 多点曲率补偿; 电压-电流转换器;
机译:4H–SiC中的宽温度范围集成带隙基准电压源
机译:宽温度范围,高精度和低温系数的CMOS带隙基准电路的设计
机译:7-nm FinFET中的1V带隙基准电压源,具有可编程的温度系数,并且在-45°C至125°C范围内的精度为±0.2%
机译:具有宽工作温度范围的5V 10ppm /°C CMOS带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)
机译:利用带隙电压基准和共源共栅电流镜电路的任何值,与温度无关的电压基准
机译:具有大范围输入电压和高精度输出的自偏置带隙基准电路
机译:适用于生产测试的低输出噪声,高电源抑制和高精度可调节带隙基准电压源的方法和装置
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