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一种带有曲率补偿的宽输入带隙基准源设计

     

摘要

在传统的一阶带隙基准电路的基础上,通过在电路中添加串联电阻和NPN型二极管并与电阻并联的方法,实现高阶曲率补偿.该电路不仅具有结构简单、使用器件少的优点,而且还能显著提高带隙基准的设计精度.另外,较宽的输入电压范围(10 V~25 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域.仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35 μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃~80℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V~25 V输入电压范围内,输出电压摆幅为31.49 mV.

著录项

  • 来源
    《电子技术应用》|2013年第9期|57-60|共4页
  • 作者单位

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 肖特基势垒栅场效应器件;
  • 关键词

    高阶曲率补偿; 带隙基准; 宽输入电压;

  • 入库时间 2022-08-18 02:49:47

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