一种二阶曲率补偿的带隙基准源设计

摘要

本文针对二阶曲率补偿的带隙基准源进行了分析研究.该基准电路是基于典型的一阶曲率补偿方式,增加一个工作在深三极管区的N型MOS器件.在高温区,等效器件电阻将分流VBE的电流,从而调整VBE的二阶项.本文基于SMIC 0.18um 1.8V CMOS工艺的器件模型,在Spectre工具下进行了仿真,在-55℃～+120℃温度范围内,一阶曲率补偿带隙电压基准的温度系数为10ppm/℃,经过二阶曲率补偿的带隙电压基准的温度系数减小到约为5.2ppm/℃,带隙电压基准的温度特性得到了很大改善.整个补偿电路使用器件少、占用面积小、实用性强.