一种曲率补偿的高精度带隙基准源设计

摘要

基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源.采用折叠式共源共栅放大器反馈结构带隙基准源,利用晶体管的VBE与IC的温度特性产生T1nT补偿量,对传统的带隙基准进行曲率补偿.仿真结果表明,在5V供电电压下,-40125℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.2715～1.2720V,温漂为3.0×10-6/℃,低频时电路电源抑制比为-86 dB.