XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度

贾仁需; 张玉明; 张义门; 郭辉

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XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度

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对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究.材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难.首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响,得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系.然后对4H-SiC样品进行了X射线三轴晶ω-2θ测试,采用不同晶面衍射峰,计算出样品的位错密度.分析了外延中位错产生的原因,并提出了相应的解决办法.

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来源
《光谱学与光谱分析》 |2010年第7期|1995-1997|共3页
作者
贾仁需; 张玉明; 张义门; 郭辉;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光化学分析法（光谱分析法）;
关键词
4H-SiC; 同质外延生长; X射线衍射; 位错密度;

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