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梁洪;
峨嵋半导体材料厂,所;
硅单晶; 氧含量; 轴向分布; 直拉硅单晶;
机译:无Cz位错的硅单晶中二维长大微缺陷分布的集成建模和验证
机译:大型FZ和CZ硅单晶中应力诱发的位错生成-数值模型和定性考虑
机译:扩大在Cz硅单晶的凝固过程中添加氢可达到的工艺区域
机译:基于有限元模型的CZ硅单晶生长过程中晶体内部温度分布研究
机译:PVT生长的4H-碳化硅单晶中扩展缺陷的演变。
机译:X射线荧光显微镜确定的不饱和恶臭假单胞菌CZ1生物膜中铜的吸附和分布
机译:氢掺杂对CZ硅单晶加工区膨胀的影响
机译:mCZ:在各种轴向磁场强度下生长的CZ硅晶体中的条纹
机译:基于CZ方法的冷却器配备的硅单晶硅单晶硅上拉器件,通过Dashneck方法改善了缺陷的位移,改进了基于CZ方法的硅单晶硅的上拉器件,并提供了基于COLOLE的COOL焊点,并在直径上增加了尺寸
机译:控制CZ生长过程中CZ生长的硅单晶侧表面引起的氧簇聚集和点缺陷的形成
机译:用于添加Ga的太阳能电池的CZ硅单晶,用于太阳能电池的硅单晶晶片及其制造方法
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