Czシリコン単結晶の凝固プロセス中に水素を添加することで達成できるプロセスゾーンの拡大

摘要

Czシリコンの凝固プロセス中に水素を添加することで，無欠陥結晶を育成するプロセスゾーンを拡大することができる.水素はシリコンの凝固過程で空孔および格子間シリコンと相互作用し，ボイドゃ転位クラスターの形成挙動に影響を及ぼす.特に転位クラスターの形成を抑制し，格子間シリコン優勢側の無欠陥領域であるPi領域の速度範囲を大きく拡げることが，水素添加技術の最大の特徴である.一方，水素添加によりボイド領域に巨大な欠陥が形成される.これら欠陥の実体は割れ欠陥であり，欠陥の中心部にはボイドが存在していることから，割れ欠陥はボイドを起点として形成した三次欠陥であると考えられる.