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章其麟; 任永一;
不详;
砷化镓; 磷化铟; 外延生长; MOCVD;
机译:MOPH使用PH_3和AsH_3在100 mm InP衬底上通过MOCVD生长的高性能InP / GaAsSb / InP DHBT
机译:InP发射极和GaAs_(1-y)Sb_y之间应变的GaAs隔离层对MOCVD生长的InP / GaAs_(1-y)Sb_y / InP DHBTs的结构性能和电学特性的影响
机译:MOCVD法通过MOCVD法在GaAs底物上的InGaAs层的低温生长
机译:MOCVD在半绝缘InP上生长的n-GaAs的电学和光学特性及其在MESFET器件的缺陷研究中的应用
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:InGaAs / InP核壳纳米线的自种MOCVD生长和显着增强的光致发光
机译:用于InP基HBT高功能性的InGaAsSb基材料的MOCVD生长和器件特性的研究
机译:用于InGaas热光电器件中埋入式反射器/互连应用的InGaas / Feal / Inalas / Inp异质结构的生长和性质
机译:MOCVD生长的InGaAsN,使用高效新颖的前体叔丁基肼,用于光电和电子设备应用
机译:在GaAs衬底上InP形成时,其结晶生长方式
机译:INGAASP在INP上的晶体生长
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