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刘英斌; 林琳; 陈宏泰; 赵润; 郑晓光;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
InGaAs; 单原子层; 台阶聚集; 界面; 金属有机物化学气相沉积;
机译:使用氮载体进行LP-MOCVD生长的W波段应用的0.1- / spl mu / m T-gate无铝InP / InGaAs / InP pHEMT
机译:使用InGaAs-InP系统的MOCVD生长和高功率MUTC光电二极管的制造
机译:通过MOCVD生长的InP / InGaAs HBT的可靠性
机译:具有由MOCVD选择性地增长的高F / SUB MAX / INP / INGAAS HBTS,由MOCVD选择性地生长
机译:MOCVD生长的氮化铝铟的综合材料研究和紫外二极管激光器的松弛模板的开发
机译:InGaAs / InP核壳纳米线的自种MOCVD生长和显着增强的光致发光
机译:LP-MOCVD法生长拉伸应变InGaAs / InP的多量子阱的研究
机译:利用碳和锌基层掺杂剂的mOCVD材料生长和优化Inp / InGaas和Inalas / InGaas异质结双极晶体管结构
机译:用于光电导天线的基于INP基底的基于INGAAS的材料
机译:用于光电导天线的InP基片上的基于InGaAs的材料
机译:MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长单晶藻类层的研究。
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