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Annual Device Research Conference
Annual Device Research Conference
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1.
Demonstration of blue vertical-cavity surface-emitting laser diode
机译:
蓝色垂直腔表面发射激光二极管的示范
作者:
Yoshii S.
;
Yokogawa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
2.
Improvement of porous silicon EL efficiency during anodic oxidation and the application of a new microstructure analysis method
机译:
阳极氧化过程中多孔硅EL效率的提高及新型微观结构分析方法的应用
作者:
Sakai T.
;
Suzuki T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
3.
A 15 GHz bandwidth lattice-matched InAlAs/InGaAs/InP HEMT-based OEIC photoreceiver
机译:
一个15 GHz带宽晶格匹配的Inalas / Ingaas / Inp Hemt的Oeic Photoreceiver
作者:
Fay P.
;
Wohlmuth W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
4.
Sub 0.1 /spl mu/m SOI MOSFETs with counter doping into uniformly and heavily doped channel region
机译:
具有计数器掺杂成均匀和掺杂的沟道区的0.1 / SPL MU / M SOI MOSFET
作者:
Suzuki K.
;
Satoh A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
5.
New generation of organic-based thin-film transistors
机译:
新一代基于有机基薄膜晶体管
作者:
Garnier F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
6.
Nano electronic modelling (NEMO)
机译:
纳米电子造型(NEMO)
作者:
Klimeck G.
;
Lake R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
7.
A novel Si/SiGe sandwich polysilicon TFT for SRAM applications
机译:
用于SRAM应用的新型SI / SIGE SANDWICH POLYSILICON TFT
作者:
Manna I.
;
Le-Tien Jung
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
8.
High performance submicron-gate SiGe p-type modulation-doped field-effect transistors
机译:
高性能亚微米栅极SiGe P型调制掺杂场效应晶体管
作者:
Arafa M.
;
Fay P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
9.
Monolithic integrated resonant tunneling diode and heterostructure junction field effect transistor logic circuits
机译:
单片集成谐振隧道二极管和异质结构结场效应晶体管逻辑电路
作者:
Yen J.C.
;
Zhang Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
10.
Guidelines for high-performance CMOS-devices development
机译:
高性能CMOS-Devices开发指南
作者:
Kimura S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
11.
Physical model of bit-to-bit variation in data retention time of DRAMs
机译:
DRAM数据保留时间的位对位变化的物理模型
作者:
Ogasawara M.
;
Ito Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
12.
Microwave power InAlAs/InGaAs double heterojunction bipolar transistors with 1.5 V-low voltage operation
机译:
微波功率Inalas / InGaAs双异质结双极晶体管,具有1.5 V低压操作
作者:
Iwai T.
;
Shigematsu H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
13.
Layer composition and mode structure analysis of heterojunction laser diodes by near field scanning optical microscopy
机译:
近场扫描光学显微镜杂交激光二极管的层组成和模式结构分析
作者:
Unlu M.S.
;
Goldberg B.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
14.
Improvement of IGBT latching performance by indium doping
机译:
铟掺杂改善IGBT锁存性能
作者:
Shen Z.
;
Parthasarathy V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
15.
A novel amorphous silicon thin film transistor for AMLCDs
机译:
用于AMLCD的新型非晶硅薄膜晶体管
作者:
Young Byun
;
den Beer W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
16.
Base-collector capacitance reduction of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors by deep ion implantation
机译:
深度离子植入的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管的基 - 集电极电容
作者:
Ho M.C.
;
Johnson R.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
17.
500/spl deg/C operation of a GaN/SiC heterojunction bipolar transistor
机译:
GaN / SIC异质结双极晶体管的500 / SPL DEG / C操作
作者:
Chang S.S.
;
Pankove J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
18.
Scaling of two dimensional MESFETs for ultra low power applications
机译:
用于超低功耗应用的二维MESFET的缩放
作者:
Peatman W.C.B.
;
Hurt M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
19.
Free-standing Al/sub 0.30/Ga/sub 0.70/As thermopile infrared sensor
机译:
独立式AL / SUB 0.30 / GA / SUB 0.70 /作为热散红外传感器
作者:
Dehe A.
;
Hartnagel H.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
20.
GaAs/AlGaAs electrooptic modulator with novel electrodes and bandwidth in excess of 40 GHz
机译:
GaAs / Algaas电光调制器,具有新型电极和带宽超过40 GHz
作者:
Spickermann R.
;
Sakamoto S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
21.
Device and technology challenges for integrated sensors
机译:
集成传感器的设备和技术挑战
作者:
Wise K.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
22.
An XNOR device in hybrid InAs/AlSb/GaSb and InGaAs material systems
机译:
混合INAS / ALSB / GASB和INGAAS材料系统中的XNOR器件
作者:
Shen J.
;
Tehrani S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
23.
A new logic family based on single-electron transistors
机译:
基于单电子晶体管的新逻辑系列
作者:
Chen R.H.
;
Korotkov A.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
24.
Platinum silicide Schottky barrier infrared photodetectors with a grating: optical response and backbias-dependent polarization sensitivity
机译:
具有光栅的铂硅化硅化硅晶虫屏障屏障红外光电探测器:光学响应和基于依赖性极化敏感性
作者:
Kapser K.
;
Deimel P.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
25.
A Monte Carlo study of drain and channel engineering effects on hot electron injection and induced device degradation in 0.1 /spl mu/m n-MOSFETs
机译:
蒙特卡罗对0.1 / SPL MU / M N-MOSFET中的热电子注入和诱导装置降解的漏极和渠道工程效应研究
作者:
Hulfachor R.B.
;
Kim K.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
26.
Heterojunction organic thin-film transistors
机译:
异质结有机薄膜晶体管
作者:
Dodabalapur A.
;
Katz H.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
27.
Effect of device impedance on the measurement of carrier lifetime and carrier density in semiconductor lasers
机译:
器件阻抗对半导体激光器载波寿命和载流子密度测量的影响
作者:
Flynn E.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
28.
4H-SiC MESFET's on high resistivity substrates with 30 GHz f/sub max/
机译:
高电阻率基板上的4H-SiC MESFET,具有30 GHz F / SUB MAX /
作者:
Allen S.T.
;
Palmour J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
29.
Electro-mechanically tunable micro Fabry-Perot filter array
机译:
电动可调谐微泡泡 - 珀罗滤波器阵列
作者:
Tran A.T.T.D.
;
Haronian D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
30.
Investigation of GaAs/AlGaAs multiquantum well infrared detector
机译:
GaAs / Algaas MultiQuantum孔红外探测器的研究
作者:
Jin-Min Li
;
Hai-Qun Zheng
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
31.
High-performance resonant-cavity photodetectors
机译:
高性能共振腔光探测器
作者:
Anselm K.A.
;
Murtaza S.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
32.
Impact ionization in InAs/AlSb field effect transistors
机译:
INAS / ALSB场效应晶体管中的冲击电离
作者:
Brar B.
;
Kroemer H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
33.
1995 53rd Annual Device Research Conference Digest
机译:
1995年第53款年度设备研究会议摘要
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
34.
40 GHz monolithic grid amplifier
机译:
40 GHz单片网格放大器
作者:
Cheh-Ming Liu
;
Sovero E.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
35.
Intrinsic oscillations in resonant tunneling structures
机译:
谐振隧道结构中的内在振动
作者:
Woolard D.L.
;
Brown E.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
36.
Population inversion in step quantum wells at 10 /spl mu/m wavelength
机译:
步骤量子阱在10 / SPL MU / M波长的群体反转
作者:
Zhang X.
;
Haddad G.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
37.
Imaging spatial and spectral inhomogenous spontaneous emission in high power semiconductor lasers
机译:
高功率半导体激光器的成像空间和光谱偏离自发发射
作者:
Bethea C.G.
;
Fang W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
38.
Submilliamp-threshold InGaAs/GaAs quantum-well ridge-waveguide lasers with impurity-induced disordering
机译:
Subsilliamp-threshold Ingaas / Gaas量子井脊 - 波导激光,具有杂质诱导的失调
作者:
Hu S.Y.
;
Peters M.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
39.
Low frequency noise consideration for MOSFET analog circuits
机译:
MOSFET模拟电路的低频噪声考虑
作者:
Chun Hu
;
Li G.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
40.
High efficiency operation of 6-H SiC MESFETs at 6 GHz
机译:
6 GHz的6-H SIC MESFET的高效操作
作者:
Sriram S.
;
Barron R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
41.
Silicon quantum-dot transistors operating above 100 K
机译:
硅量子点晶体管以上工作100 k
作者:
Leobandung E.
;
Lingjie Guo
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
42.
Room temperature operation of single electron transistor made by STM nano-oxidation process
机译:
由STM纳米氧化过程制造的单电子晶体管的室温操作
作者:
Matsumoto K.
;
Ishii M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
43.
Carbon doped InP/GaAsSb HBTs via MOCVD
机译:
碳掺杂INP / Gaassb HBT通过MOCVD
作者:
McDermott B.T.
;
Gertner E.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
44.
A nanoscale vertical-tunneling FET
机译:
纳米级垂直隧道FET
作者:
Tucker J.R.
;
Wang C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
45.
Very low noise characteristics of AlGaAs/InGaAs HEMTs with wide head T-gate
机译:
宽头T型门的Algaas / Ingaas Hemts的极低噪声特性
作者:
Jin-Hee Lee
;
Hyung-Sup Yoon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
46.
A predictive model describing the upconversion of 1/f noise into AM sideband noise in HBTs
机译:
描述HBT中AM边带噪声的1 / F噪声的预测模型
作者:
Pehlke D.R.
;
Sailer A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
47.
Polarization instability and mode partition noise in vertical-cavity surface-emitting lasers
机译:
垂直腔表面发射激光器中的极化不稳定性和模式分区噪声
作者:
Kuksenkov D.V.
;
Temkin H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
48.
Submicron fully self-aligned AlInAs/GaInAs HBTs for low-power applications
机译:
亚微米完全自对齐的alinas / Gainas HBTS用于低功耗应用
作者:
Hafizi M.
;
Stanchina W.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
49.
Novel SiC device technology featuring enhancement and depletion mode transistors
机译:
新颖的SIC器件技术以增强和耗尽模式晶体管为特色
作者:
Siergiej R.R.
;
Agarwal A.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
50.
Index
机译:
指数
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
51.
Ultra-low resistance W/Si/sub 1-x/Ge/sub x//Si source-drain contacts
机译:
超低电阻w / si / sub 1-x / ge / sub x // si源 - 漏极触点
作者:
Yuen-Shung Chieh
;
Krusius J.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
52.
A novel angle position detector for application to pattern recognition
机译:
一种新型角度位置检测器,用于应用于模式识别
作者:
Kang-Cheng Lin
;
Si-Chen Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
53.
Broadly-tunable, narrow-linewidth resonant cavity light emitter
机译:
广泛可调,窄线宽谐振腔光发光器
作者:
Larson M.C.
;
Harris J.S. Jr.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
54.
Chirped superlattice hot electron transistor
机译:
啁啾超晶格热电子晶体管
作者:
Chanh Nguyen
;
Hsiang-Chih Sun
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
55.
A 140 GHz f/sub max/ InAlAs/InGaAs pulse-doped InGaAlAs quaternary collector HBT with a 20 V BVceo
机译:
A 140 GHz F / SUB MAX / INALAS / INGAAS脉冲掺杂INGAALAS第四纪收集器HBT,具有20 V BVCEO
作者:
Cowles J.
;
Tran L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
56.
High-f/sub max/ InP/InGaAs HBTs with extrinsic base layers selectively grown by MOCVD
机译:
具有由MOCVD选择性地增长的高F / SUB MAX / INP / INGAAS HBTS,由MOCVD选择性地生长
作者:
Ida M.
;
Yamahata S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
57.
Finite element stress modeling of InGaAsP/InP lasers
机译:
INGAASP / INP激光器有限元应力建模
作者:
Mishkevich V.
;
Jordan A.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
58.
High temperature enhancement-mode NMOS and PMOS devices and circuits in 6H-SiC
机译:
高温增强模式NMOS和PMOS器件和6H-SIC的电路
作者:
Slater D.B. Jr.
;
Lipkin L.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
59.
A low power 77 K nano-memory with single electron nano-crystal storage
机译:
具有单电子纳米晶体存储的低功率77 k纳米记忆
作者:
Tiwari S.
;
Rana F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
60.
Optimization of the tunnel MIS structure as a hot electron injector
机译:
优化隧道MIS结构作为热电子注射器
作者:
Grekhov I.V.
;
Shulekin A.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
61.
Monolithic integration of a 94 GHz AlGaAs/GaAs 2DEG mixer on quartz substrate by epitaxial lift-off
机译:
通过外延剥离整体集成了94 GHz Algaas / GaAs 2deg混频器在石英底板上的整合
作者:
Basco R.
;
Prabhu A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
62.
Normal incident intersubband infrared detector using n-type InGaAs/GaAs quantum wells
机译:
使用N型IngaAs / GaAs量子井的正常入射式IntersubBand红外探测器
作者:
Karunasiri G.
;
Shih R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
63.
Silicon MOSFETs with very low microwave noise
机译:
硅MOSFET非常低的微波噪音
作者:
De La Houssaye P.R.
;
Chang C.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
64.
InAs/GaAs graded superlattice channel transistors (GSTs)
机译:
INAS / GAAS分级超晶格通道晶体管(GSTS)
作者:
Ando Y.
;
Wakejima A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
65.
Effect of surface-trap levels on threshold-voltage change in GaAs FETs
机译:
表面陷阱水平对GaAs FET的阈值电压变化的影响
作者:
Kagaya O.
;
Takazawa H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
66.
New interpretation of threshold voltage in polysilicon TFTs: a theoretical and experimental study
机译:
多晶硅TFT中阈值电压的新解释:一种理论与实验研究
作者:
Jacunski M.D.
;
Shur M.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
67.
Dual-gate FETs for ultra-high efficiency HPA
机译:
用于超高效HPA的双栅FET
作者:
Tanimoto T.
;
Tanaka S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
68.
Resonant tunneling in InP/InGaAs lateral double barrier heterostructures
机译:
INP / Ingaas侧面双屏障异质结构的共振隧道
作者:
Broekaert T.P.E.
;
Randall J.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
69.
Highly reliable non-hermetic InP-based lasers and photodiodes for telecommunication
机译:
高度可靠的非密封基于INP的激光和光电二极管进行电信
作者:
Osenbach J.W.
;
Chand N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
70.
Non-pixelated quantum well diode diffraction modulators
机译:
非像素化量子阱二极管衍射调节器
作者:
Lahiri I.
;
Melloch M.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
71.
Design and modeling of the 600 V IGBT with emitter ballast resistor
机译:
具有发射极镇流器电阻600V IGBT的设计与建模
作者:
Shen Z.J.
;
Robb S.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
72.
Novel collector current phenomenon in advanced bipolar transistors operated at deep cryogenic temperatures
机译:
高级双极晶体管中的新型集电器电流现象在深浊度温度下操作
作者:
Joseph A.J.
;
Cressler J.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
|
1995年
73.
Squeezing and controlled spontaneous emission in semiconductor lasers
机译:
在半导体激光器中挤压和控制自发发射
作者:
Yamamoto Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Device Research Conference》
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1995年
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