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胡才雄;
上海有色金属研究所;
硅片; 机械损伤; 激光辐射; 离子注入;
机译:高速双多晶硅双极技术的工艺和器件性能,采用硼硅多晶工艺和耦合基注入
机译:通过背面蚀刻(DTTBE)的新型器件转移技术,可用于塑料基板上的高性能多晶硅TFT
机译:用于背面晶圆接触式硅片RF /微波技术的超低温度工艺模块
机译:通过硅通孔工艺集成,集中在扩散势垒,背面处理和电气特性上
机译:MEMS S&A器件金属/硅复合结构的混合制造工艺
机译:激光区生长在带状带(RTR)工艺,硅片生长发育,为低成本硅太阳能阵列的大面积硅片任务。技术季度报告第6号,10月10日 - 1977年12月31日
机译:陶瓷上硅工艺:低成本太阳能电池阵列项目的大面积硅片任务的硅片生长和器件开发
机译:用于制造微腔织物的器件的工艺-集成在硅中的perot技术。
机译:从原材料主要由炼钢渣制成的生产商品的技术,主要是在钢铁工业中生产的钢铁,并具有较高的附加价值,以及使用它们的方法,根据项目01的技术,从工艺上进行:项目02:生产硅矿质离子EC-65的技术及其使用,项目03:从炼钢渣块粉生产矿质离子簇的技术及其在农业和林业中的使用,以及项目04:在炼钢过程中进行炼钢浸入淡水或海水中并且有能力生长的河流或海水淡水,海藻和藻类并使用它们
机译:在改善晶片边缘状态的质量并降低故障率并降低缺陷率的同时,使用湿法清洁设备以消除太阳能电池的硅锭工艺中的损伤层的蚀刻工艺
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