用外吸除技术消除P型〈111〉硅片雾缺陷的研究：Ⅰ.背面多晶吸除技术

摘要

研究了背面多晶和改进的背面损伤两种外吸除工艺,及其在消除P型硅片雾缺陷中的应用。用TEM、SEM和热氧化等方法分析了背面多晶层和背面损伤层的微观结构和吸除效果。简单叙述了SIMS和MOS c-t少子产生寿命的测试结果以及吸除机理。本文是第一部分,主要内容是背面多晶生长工艺及其在消除P型硅片雾缺陷中的应用。