外吸除用硅片背面加工技术的研究

摘要

用SEM、TEM和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤 (包括软损伤 )和多晶硅的晶格结构 ,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化 ,探索了吸杂的机理。实验结果表明 ,用本技术能减少S坑密度 ,提高硅片产生寿命 ,对金。