去除硅片背面金属污染的方法研究

摘要

电路的集成度日益提高,单元图形的尺寸日益微化,污染物对器件的影响也愈加突出,以至于洁净表面的制备已成为超亚微米的关键技术.人们普遍对外来污染、硅片的正面污染非常警觉.在生产线上FEOL区间,一些来自上工序的硅片背面污染,会对下工序产生实际的二级污染的影响.寻找实际生产中会对下工序产生背面二级污染影响的源头,并对去除生产线硅片背面金属污染的方法进行了研究,并提出一种行之有效的去除背面金属污染的方法.