不需要盐酸气体的硅片上金属玷污去除技术

摘要

在半导体工艺的硅片热处理工序中，原来是采用盐酸气体去除金属洁污。这样，硅片表面就会粗糙及拈污，便会产生SIQZ颗粒。半导体制作设备专用厂——DSI和签订了销售代理店合同的以色列希扎里公司共同开发并采用了不使用盐酸气体等腐蚀性气体的硅片上金属坊污去除技术——“PEME．CON，’（减少金属站污）和“PROMECON”（预防金属站污）”并打算在本公司制的立式扩散炉中采用。今后，呼吁半导体制作设备厂家和部件材料·硅片厂家等采用此技术。门）用电荷去除拈污DSll995年成立，特别擅长设计、制作高精度热处理装置。该项技术的特点是：用加电场去除、预防热处理中硅片、或石英、S江舟等内部以及加工（工艺）管内含