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シリコン·ウェーハのバルク金属汚染①バルク金属汚染の概要と発生機構

机译:硅片的块状金属污染(1)块状金属污染的概况和产生机理

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摘要

シリコン·ウェーハのバルク金属汚染について概説した。製造工程の改善によりウェーハ表面汚染量は年々改善され、ウェーハの全汚染量に占めるバルク金属汚染量の比率が増加している。今後、バルク金属汚染量の低減に向けた製造工程の改善が必要である。
机译:概述了硅晶片的散装金属污染。由于制造工艺的改进,晶片表面的污染量逐年增加,并且散装金属污染占晶片总污染量的比例正在增加。将来,有必要改善制造工艺以减少大量金属污染的数量。

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