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机译:高速双多晶硅双极技术的工艺和器件性能,采用硼硅多晶工艺和耦合基注入
机译:采用70ps硅双极技术,硼硅多晶工艺和耦合基极注入的双4位2G / s全Nyquist模数转换器
机译:使用BF / sub 2 /注入基极并具有快速热处理的30 GHz f / sub T /亚微米双多晶硅双极技术的工艺和器件表征
机译:30 GHz f / sub T /亚微米双多晶硅双极技术的工艺研究
机译:70 ps ECL栅极Si双极技术,采用Borosenic-poly工艺和耦合基极注入
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于溶液加工的有机发光器件的高发光性,含氧化膦的双极性炔基金(iii)配合物,效率降幅很小
机译:混合光子集成和等离子体装置:高速通信和超快速信号处理的新视角
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模