冶金法制备多晶硅造渣除硼技术工艺研究

摘要

冶金法生产太阳能级多晶硅过程中最难去除的是B,通过定向凝固、电子束炉等真空熔炼手段很难去除.针对冶金硅造渣除B技术工艺进行了研究,重点考察造渣剂种类、造渣次数、渣金比、熔炼时间等因素的影响,获得的优化工艺为:选用CaCO3-SiO2渣系并添加5％CaF2,造渣次数2次,渣金比为1:1,熔炼时间为60min.通过造渣除B工艺处理后,冶金硅中的B从3.2μg/g降低到了0.3 μg/g以下,达到了太阳能级多晶硅B指标的要求.