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Foss.JG; 李嘉生;
不详;
多晶硅; 发射极; 比例; BiCMOS电路;
机译:用于BiCMOS晶体管设计的多晶硅发射极的优化
机译:多晶硅中硼扩散的研究及其在浅发射极结的p-n-p多晶硅发射极双极晶体管设计中的应用
机译:将双多晶硅发射极基自对准双极晶体管集成到0.5微米的BiCMOS技术中,以实现快速的4 Mb SRAM
机译:用于BiCMOS VLSI设计的多晶硅发射极晶体管的饱和特性分析
机译:新型按比例缩小的多晶硅薄膜晶体管器件和技术。
机译:用于粘度测量的BiCMOS介电传感器的设计和制造:早期检测COPD的可能解决方案
机译:多晶硅发射极双极晶体管发射极延迟的紧凑电荷比表达式
机译:双极ECL / EFL(发射极耦合逻辑/发射极 - 跟随器 - 逻辑)电路的延迟建模
机译:在BiCMOS集成电路上制造用于双极晶体管的改进的多晶硅发射极的方法
机译:BICMOS应用中用于双多晶硅发射极和反向MOS的无硅工艺
机译:双多晶硅BICMOS器件的高架发射极
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