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何进;
北京大学微电子学研究所;
平面结; 击穿电压; 结深; 电场分布; 圆柱突变结;
机译:PN结的电场分布和电压击穿模型
机译:基于椭圆圆柱解的沿冶金结边的峰值场和击穿电压分布的理论分析
机译:具有增强介电层电场的超结LDMOS,可实现高击穿电压
机译:结终端扩展(JTE),一种新的技术,用于提高雪崩击穿电压并控制P-N结中的表面电场
机译:两个病态窦房结综合征和房颤/房室结折返性心动过速患者的电压门控离子通道基因的DNA突变分析。
机译:异型连接蛋白50 /连接蛋白50突变体间隙连接通道揭示跨结电压依赖性门控过程中两个半通道之间的相互作用
机译:新型功率MOSFET采用部分SIC / SI异质结,通过击穿点转移来改善击穿电压(BPT)终端技术
机译:Gaas异质结双极晶体管,具有106 V击穿电压
机译:半导体功率组件用于高压应用的双极晶体管具有带垂直堆叠的pn结的电荷补偿区域,其中结的击穿电压之和小于漂移区的电压
机译:用于抑制晶体管的结击穿电压和表面击穿电压的劣化的非易失性半导体存储装置
机译:用于抑制晶体管的结击穿电压和表面击穿电压的劣化的非易失性半导体存储器
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