Pre-Switch的软开关IGBT和SiC栅极驱动架构大幅降低了太阳能逆变器的成本

机译：校正“在商业铸造中制造的600V 4H-SiC MOSFET，栅极氧化物厚度降低27nm以实现15V的IGBT兼容栅极驱动器[11月19日1792-1795]

机译：在硬开关和软开关下外延平面和沟槽栅极IGBT以及非外延平面栅极IGBT的关断行为

机译：降低IGBT栅极驱动器的设计成本和空间

机译：栅极驱动器上dv / dt应力为零的15 kV SiC N-IGBT和P-IGBT用于互补逆变器拓扑的评估

机译：具有温度补偿集电极电流检测功能的智能IGBT栅极驱动器IC

机译：包含球形硅太阳能电池的SiC逆变器的紧凑型光伏系统中电流对太阳辐射功率的依赖性

机译：常关型SiC JFET的栅极驱动器设计：用于光伏逆变器的碳化硅技术

机译：用于并网光伏系统的逆变器的工作原理和一些测试结果。第1部分：用于并网光伏系统的逆变器和mppT的工作原理，以及第2部分：弗劳恩霍夫逆变器和TUE-IGBT逆变器的实验对比分析结果

机译：变速离心机的逆变器驱动电路-使用由栅极驱动脉冲控制的IGBT晶体管，随后是栅极放电脉冲

机译：能够在IGBT关断时防止IGBT导通的逆变器的栅极驱动电路

机译：基于CPLD的高性能有源栅极驱动器，用于硬开关和软开关SIC MOSFET