栅极驱动
栅极驱动的相关文献在1990年到2023年内共计4092篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文150篇、会议论文2篇、专利文献300437篇;相关期刊47种,包括电源技术、电力电子技术、电源学报等;
相关会议2种,包括中国电工技术学会电力电子学会第七次全国学术会议、中国电源学会第二十一届学术年会等;栅极驱动的相关文献由2978位作者贡献,包括李永谦、冯雪欢、李红敏等。
栅极驱动—发文量
专利文献>
论文:300437篇
占比:99.95%
总计:300589篇
栅极驱动
-研究学者
- 李永谦
- 冯雪欢
- 李红敏
- 韩承佑
- 商广良
- 邵贤杰
- 袁粲
- 袁志东
- 廖聪维
- 祁小敬
- 张盛东
- 姚星
- 郑皓亮
- 王志冲
- 冯思林
- 马占洁
- 韩明夫
- 戴超
- 张元波
- 王迎
- 王慧
- 赵剑
- 郑灿
- 袁丽君
- 李蒙
- 谢勇贤
- 古宏刚
- 李亚锋
- 黄飞
- 马睿
- 胡明
- 李小和
- 薛伟
- 吴博
- 刘金良
- 胡治晋
- 谭文
- 陈帅
- 李付强
- 邹宜峰
- 唐锋景
- 吴仲远
- 李全虎
- 金志河
- 陈希
- 陶健
- 马小叶
- 曹昆
- 杨通
- 赵莽
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张欣;
潘三博
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摘要:
针对GaN功率器件在应用的过程中可能出现误导通、电压尖峰与振铃、过电压、过电流等问题,通过简要分析GaN功率器件驱动回路、过电压、过电流故障问题出现原因,设计一种GaN功率器件独立拉灌输出、过电流分级保护栅极驱动电路。当GaN功率器件出现额定电流两倍以内的过电流现象时,可实现GaN功率器件快速关断;当GaN功率器件出现额定电流两倍以上过电流现象时,可实现GaN功率器件缓慢关断,对GaN开关器件电流故障做出动作保护。利用LT-spice仿真软件和实验平台的搭建,验证设计的合理性。
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摘要:
ST公司的STGAP2HD是两路栅极驱动器,在每路栅极驱动通路和低压控制和接口电路间提供电气隔离.栅极驱动器具有4A电流能力和轨到轨输出,使它非常适合用在中高功率应用如功率转换和工业马达驱动器逆变器.分立输出引脚允许采用专用栅极电阻单独优化开通和关闭,而米勒钳位(Miller CLAMP)功能则允许在半桥拓扑在快速换向时避免出现栅极尖峰.器件集成了保护功能如专用的SD和BRAKE引脚可用,UVLO和热关断也包括,方便了设计高可靠系统.
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摘要:
Analog Devices,Inc(ADI)今日推出一款高效多相同步升压控制器,用于调节汽车信息娱乐系统中的高功率D类放大器。MAX25203具有可编程栅极驱动电压和限流屏蔽时间,以及高精度电流均衡,工作在高开关频率,以降低材料清单成本并将PCB空间减小36%。MAX25203加入ADI的汽车级升压控制器家族,其中包括MAX25201和MAX25202单/双路升压控制器,两者均为较低功率应用而设计。
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朱晓杰;
王栋
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摘要:
针对目前采用临界导通模式(Boundary Conduction Mode,BCM)的发光二极管(Light Emitting Diode,LED)驱动电路,介绍了临界导通模式中过零检测的原理,并且针对传统技术中采用源极驱动结构实现过零检测的缺点,提出了一种基于功率MOS管栅极过零检测方式,在实现过零检测功能的基础上,优化了LED驱动控制电路的线路结构,减小了芯片面积,提高了电路的竞争力。
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摘要:
Infineon公司的1EDF5673K,1EDF5673F和1EDS5663H是单路增强隔离高压增强型GaN HEMT栅极驱动器.Cool GaN^(TM)和同类GaN开关在“开”态需要几mA的连续栅极电流.此外,由于低阈值电压和极快开关瞬态,需要负的“关”电压电平.广泛使用的RC耦合栅极驱动器完全满足这些要求,但是,它受到开关动态的占空比依赖性和特殊状态下缺乏负的栅极驱动的影响.
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摘要:
ADI公司的ADuM4146是款单通道栅极驱动器,专门针对驱动碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行了优化.ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离.ADuM4146包含米勒箝位,以便栅极电压低于2 V时实现稳健的SiC单轨电源关断.输出侧可以由单电源或双电源供电,是否使能米勒箝位功能也可以进行配置.
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石安康
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摘要:
磁控管是医用电子直线加速器的重要组成部分,其工作状态的好坏直接影响了电子直线加速器输出束流的品质.采用改良的Marx发生器为主电路设计了一款磁控管加速极脉冲电源,主要包括脉冲充电电路及驱动和脉冲发生电路Marx及驱动.对脉冲充电电路及驱动进行了说明,对Marx主电路进行了原理分析和硬件计算,在Pspice软件下进行了电路仿真.实验数据表明,该电源系统设计合理,最大输出电压幅值10 kV,输出峰值电流1 A,重复频率250 Hz,脉冲宽度6μs.
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邵天骢;
郑琼林;
李志君;
黄波;
刘建强
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摘要:
高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一.针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构建负反馈控制回路,提出一种SiC MOSFET栅极驱动,进而研究揭示该驱动的短路保护策略.首先,基于跨导增益负反馈构造栅极驱动电路并分析其工作原理;其次,研究该驱动的串扰抑制能力与短路保护特性;最后,通过实验证明基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路的可行性,及其在串扰抑制和短路保护中的有效性.
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摘要:
Renesas公司的RAJ306001和RAJ306010是用于三相无刷DC马达应用的通用马达控制集成电路,在同一封装内组合了MCU(RL78/G1F)和预驱动器.预驱动器包括半桥栅极驱动器,5V稳压器,电流检测放大器,霍尔IC比较器, Back-EMF放大器和各种保护功能(超温,过压/欠压,过流和马达锁住检测).三个半桥栅极驱动器提供高效率和高度灵活调整栅极驱动峰值电流(500mA),自对准死区发生器.
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ZHOU QI;
周琦;
GAO FENG;
高峰
- 《中国电源学会第二十一届学术年会》
| 2015年
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摘要:
本文提出了一种适用于桥式结构的碳化硅(SiC)MOSFET驱动器,该驱动器通过在栅源极并联一个PNP型三极管来消除由串扰引起的负压尖峰.作为一种宽禁带器件,SiC MOSFET可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下.然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信号造成的不利影响增强,开关瞬态的驱动电压尖峰也会提高.另一方面,相比于硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET的栅源极承受负压的能力较低,因此,消除由桥式结构串扰引起的栅源驱动电压负压尖峰对于可靠驱动和SiC开关器件的安全至关重要.本文通过在栅源极并联一个PNP型三极管和电容的方式来抑制负压尖峰,从而使MOSFET驱动在高频状态下仍然能正常工作.其工作性能通过仿真和实验进行了验证,结果显示该驱动设计可以在不降低开关速度的前提下有效的消除了负压尖峰.
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ZHOU QI;
周琦;
GAO FENG;
高峰
- 《中国电源学会第二十一届学术年会》
| 2015年
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摘要:
本文提出了一种适用于桥式结构的碳化硅(SiC)MOSFET驱动器,该驱动器通过在栅源极并联一个PNP型三极管来消除由串扰引起的负压尖峰.作为一种宽禁带器件,SiC MOSFET可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下.然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信号造成的不利影响增强,开关瞬态的驱动电压尖峰也会提高.另一方面,相比于硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET的栅源极承受负压的能力较低,因此,消除由桥式结构串扰引起的栅源驱动电压负压尖峰对于可靠驱动和SiC开关器件的安全至关重要.本文通过在栅源极并联一个PNP型三极管和电容的方式来抑制负压尖峰,从而使MOSFET驱动在高频状态下仍然能正常工作.其工作性能通过仿真和实验进行了验证,结果显示该驱动设计可以在不降低开关速度的前提下有效的消除了负压尖峰.
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ZHOU QI;
周琦;
GAO FENG;
高峰
- 《中国电源学会第二十一届学术年会》
| 2015年
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摘要:
本文提出了一种适用于桥式结构的碳化硅(SiC)MOSFET驱动器,该驱动器通过在栅源极并联一个PNP型三极管来消除由串扰引起的负压尖峰.作为一种宽禁带器件,SiC MOSFET可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下.然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信号造成的不利影响增强,开关瞬态的驱动电压尖峰也会提高.另一方面,相比于硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET的栅源极承受负压的能力较低,因此,消除由桥式结构串扰引起的栅源驱动电压负压尖峰对于可靠驱动和SiC开关器件的安全至关重要.本文通过在栅源极并联一个PNP型三极管和电容的方式来抑制负压尖峰,从而使MOSFET驱动在高频状态下仍然能正常工作.其工作性能通过仿真和实验进行了验证,结果显示该驱动设计可以在不降低开关速度的前提下有效的消除了负压尖峰.
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ZHOU QI;
周琦;
GAO FENG;
高峰
- 《中国电源学会第二十一届学术年会》
| 2015年
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摘要:
本文提出了一种适用于桥式结构的碳化硅(SiC)MOSFET驱动器,该驱动器通过在栅源极并联一个PNP型三极管来消除由串扰引起的负压尖峰.作为一种宽禁带器件,SiC MOSFET可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下.然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信号造成的不利影响增强,开关瞬态的驱动电压尖峰也会提高.另一方面,相比于硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET的栅源极承受负压的能力较低,因此,消除由桥式结构串扰引起的栅源驱动电压负压尖峰对于可靠驱动和SiC开关器件的安全至关重要.本文通过在栅源极并联一个PNP型三极管和电容的方式来抑制负压尖峰,从而使MOSFET驱动在高频状态下仍然能正常工作.其工作性能通过仿真和实验进行了验证,结果显示该驱动设计可以在不降低开关速度的前提下有效的消除了负压尖峰.