用于SiC和IGBT功率器件控制去饱和或短路故障的栅极驱动控制系统

摘要

一种用于功率半导体器件的栅极驱动控制器包括：主控制单元(MCU)；以及一个或多个比较器，所述一个或多个比较器将所述功率半导体器件的所述输出信号与由所述MCU生成的参考值进行比较。所述MCU响应于关断触发信号而生成用于所述功率半导体器件的第一中间驱动信号，并且当DSAT信号指示所述功率半导体器件正在经历去饱和时生成不同于所述第一驱动信号的第二中间驱动信号。当所述一个或多个比较器的所述输出信号指示所述功率半导体器件的所述输出信号已经相对于所述参考值而改变时，所述MCU生成用于所述功率半导体的最终驱动信号。所述控制器还可以包括定时器，当所述一个或多个比较器不指示变化时，所述定时器使所述驱动信号以预定间隔改变。