中高压SiC IGBT智能栅极驱动研究及应用

摘要

15KV中高压SiC功率半导体器件的栅极驱动器设计是一个巨大挑战.其较高电压等级、高电压变化率dv/dt及高电流变化率di/dt带来了复杂电磁干扰和功率损耗.本文提出一种电流源型智能化抗电磁干扰(EMI)的有源中压栅极驱动电路,该驱动电路采用传统驱动芯片集成设计而来,不仅可以提供先进的栅极驱动,且具备隔离保护和状态监测功能.采用15KV中压SiC IGBT器件设计双脉冲测试平台进行对比传统电压源型驱动的实验,测试结果显示本文电流源型驱动在有效降低损耗的情况下,兼顾改善电流变化率di/dt,并具备快速关断和降低保护响应时间的优势.