改善GaAs MESFET输出功率线性的载流子浓度分布设计与制备

摘要

经过对GaAs MESFET输出功率及其线性失真的综合分析,提出了无拖尾双峰n^+n载流子浓度分布的最佳设计。用Si离子注入和Be注入埋层方法,以及优化的快速退火技术,满意地制备出所希望的无拖尾双峰n^+n浓度分布。用于DX571功率GaAs MESFET器件时的研究表明,与常规注入分布的器件相比,无拖尾n浓度分布器件在4GHz下测得的1dB增益压缩功率输出增加了0.4W;在输入信号提高50mW情况下增益仍为9dB,漏极效率提高3％,加上n^+注入后饱和压降又下降0.3V,预计其线性输出功率能力将会有进一步改善。