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李效白;
专用集成电路国家重点实验室;
GaAs; InP; 选择腐蚀; HFET;
机译:Si / sub 3 / N / sub 4 /钝化InAlAs / InGaAs / InP HFET的新颖制造工艺
机译:InP / GaAsSb / InP双异质结构双极晶体管中的中性基复合:抑制p〜+ GaAsSb基层中的俄歇复合
机译:AllnAs / InGaAs / InP MBE和MOCVD生长的HFET中的低频噪声
机译:氢气在生长中断期间吹扫及其对LP-MOVPE生长的INP / Ingaas / InP HFET中电子传输的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:钝化中的超低表面复合速度InGaAs / InP纳米柱
机译:基于250 nm InP / InGaAs / InP DHBT工艺的140-220 GHz成像前端
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学
机译:PP杂质在INP或INGAASP中的选择性扩散方法
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
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