用分子束外延法生长蓝光二极管

摘要

正 据报道,夏普欧洲实验室科学家已用分子束外延生长世界首只蓝紫激光二极管。器件生长在蓝宝石基底上,是屋脊形波导InGaN多量子阱激光器,室温运转,输出波长为400nm。此有机金属汽相外延系统专为生长GaN器件设计。其主要优点是源材料消耗大为减少,特别是作为氮气源所需的氨。另一优点是,生长后不需要热退火,以激活P型掺杂物。该器件的阈值电流为1.5A,运转电压为33V,阈值电流密度约为30RA·cm~-2。当前为脉冲运转,脉宽200ns。