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用分子束外延法生长的Hg1—xCdxTe制备的长波和中波红外光电二极管（上）

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用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.20

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来源
《红外与激光技术》|1989年第4期|43-46|共4页
作者
龚琰民;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN364.2;
关键词
碲镉汞; 光电二极管; 分子束外延法;

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