一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法

摘要

本发明提供了一种分子束外延生长长波红外InAs/InAsSb超晶格界面的优化方法，其中，包括以下步骤：A、获取外延生长的基准温度以及测定生长程序所需要的各源炉束流及温度值；B、根据基准温度将GaSb衬底的温度进行调节，准备运行长波红外InAs/InAsSb超晶格材料的生长程序；C、编辑并优化该长波红外InAs/InAsSb超晶格材料的生长程序并运行。本发明改善了InAs/InAsSb超晶格材料的生长质量，为制备高性能的InAs/InAsSb长波红外探测器奠定基础。