声明
摘要
第一章 绪论
1.1 锑化物中红外半导体激光器
1.2 锑化物半导体材料
1.2.1 GaSb材料的性质
1.2.2 InAs/GaSb超晶格
1.3 分子束外延生长技术
1.3.1 分子束外延生长
1.3.2 衬底的选择
1.3.3 国内外发展现状
1.4 半导体材料的钝化技术
1.5 本论文的主要研究内容
第二章 实验方法
2.1 分子束外延生长
2.1.1 分子束外延生长技术特点
2.1.2 分子束外延生长工艺过程
2.1.3 反射式高能电子衍射仪(RHEED)
2.2 材料的测试及表征方法
2.2.1 原子力显微镜技术(Atomic Force Microscope-AFM)
2.2.2 透射电子显微镜技术(Transmission Electron Microscope-TEM)
2.2.3 双晶X射线衍射谱测量技术(X-Ray Diffraction-XRD)
2.2.4 光致发光谱测量技术(photluminescence-PL)
2.5.5 材料的电学测试技术
2.3 本章小结
第三章 GaSb同质外延薄膜的生长及表征
3.1 GaSb同质外延薄膜的生长
3.2 影响薄膜同质外延生长的参数
3.2.1 生长速率
3.2.2 Ⅴ/Ⅲ束流比
3.3 RHEED观测GaSb薄膜生长
3.3.1 衬底温度对生长的影响
3.3.2 利用RHEED观测GaSb薄膜生长
3.4 GaSh外延薄膜的特性测试
3.4.1 GaSb表面形貌分析
3.4.2 GaSb薄膜的XRD光谱分析
3.4.3 GaSb薄膜的PL光谱分析
3.5 本章小结
第四章 GaSb薄膜的掺杂技术及钝化研究
4.1 霍尔原理及测试技术
4.2 GaSb薄膜层背景载流子浓度测试
4.3 GaSb薄膜的掺杂研究
4.3.1 生长AlGaAsSb缓冲层
4.3.2 p型和n型掺杂研究
4.4 GaSb薄膜的钝化技术
4.5 本章小结
第五章 InAs/GaSb超晶格材料的生长及测试表征
5.1 InAs/GaSb超晶格不同结构的生长
5.2 InAs/GaSb结构的界面控制
5.3 InAs/GaSb超晶格结构特性表征
5.4 InAs/GaSb超晶格光谱特性
5.5 InAs/GaSb超晶格TEM表征
5.6 本章小结
结论
致谢
参考文献
攻读博士期间发表论文
长春理工大学;